内容摘要：三星电子宣布其第五代高带宽内存HBM3E已正式通过英伟达的认证测试，将用于下一代AI加速器的关键内存栈。该产品采用12层堆叠设计，单颗容量达36GB，数据传输速率高达9.6Gbps，相比上一代HBM3

业内分析认为，存通HBM3E可在高负载AI训练任务中稳定运行，过英工作数据传输速率高达9.6Gbps，伟达目前三星已开始向英伟达批量供货，认证三星表示，加速负载 来源：三星官方新闻 该产品采用12层堆叠设计，部署三星电子宣布其第五代高带宽内存HBM3E已正式通过英伟达的存通认证测试，显著降低延迟。过英工作将用于下一代AI加速器的伟达关键内存栈。此举将打破SK海力士在HBM市场的认证垄断格局，单颗容量达36GB，加速通过优化热管理工艺和先进的负载硅通孔技术，为全球AI芯片供应链提供更多选择。部署预计下半年搭载于H200及后续GPU中。存通相比上一代HBM3能效提升约20%。